852nm冷原子半导体激光器

产品简介:DBR系列高功率边发射激光器基先进的单频激光技术,提供一个受衍射限制的单纵模输出,具有非常高的可靠性。780nm、795nm、852nm、895nm等波长广泛应用于铷原子及铯原子的原子光谱研究及应用。可提供多种封装形式:芯片形式、TO封装、蝶形封装等。另可提供其他多种波长产品,如760、767、770、785、808、920、976、1064、1083nm等。

主要特点:

·窄线宽

·可提供不同类型封装

·高功率

·高斜度效率

主要应用:

·铷原子光谱研究

·原子钟

·重力计

·原子陀螺、干涉仪

参数指标

参数*

单位

最小

标准

最大

中心波长

nm

778

780

782

输出光功率

mW

20, 40, 80, 120, 180

斜度效率1

W/A

0.25

0.36

-

斜度效率

W/A

0.60

0.75

-

电流阈值

mA

-

50

70

线宽

MHz

-

1

-

偏振消光比1

dB

16

19

-

输出偏振态

-

-

TE

-

光束发散度 (θװ X θ┴)

0

-

6 X 26

8 X 28

边摸抑制比

dB

-30

-

-

连续激光正向电流

mA

-

-

150

脉冲激光正向电流2

A

-

-

0.3

工作温度范围

0C

5

-

70